晶體(tǐ)管(guǎn)特性(xìng)圖示(shì)儀的使(shǐ)用

晶體管(guǎn)測量儀器是(shì)以(yǐ)通用(yòng)電子(zǐ)測量(liáng)儀器為技(jì)術基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體(tǐ)器(qì)件(jiàn)為(wéi)測量對象的電子(zǐ)儀(yí)器。用它(tā)可以測試(shì)晶體三(sān)極管(guǎn)（NPN型和PNP型）的(dí)共發射極，共基(jī)極(jí)電路的輸(shū)入特性，輸(shū)出(chū)特(tè)性；測(cè)試各種(zhǒng)反(fǎn)向飽(bǎo)和電(diàn)流(liú)和(hé)擊穿電壓(yā)，還(huán)可以測量場效管(guǎn)，穩壓(yā)管，二極管，單結(jié)晶體管(guǎn)，可控矽等器件的(dí)各種(zhǒng)參數。下麵(miàn)以XJ4810型晶體(tǐ)特性圖(tú)示儀為例介(jiè)紹晶(jīng)體管圖示儀的(dí)使用(yòng)方法。

7.1 XJ4810型晶(jīng)體管特(tè)性(xìng)圖(tú)示儀(yí)麵板功能(néng)介(jiè)紹

XJ4810型晶體(tǐ)管(guǎn)特(tè)性圖(tú)示儀(yí)麵板如(rú)圖(tú)A-23所示
：

1. 集(jí)電極電源極性(xìng)按鈕，極(jí)性可(kě)按(àn)麵(miàn)板(bǎn)指(zhǐ)示(shì)選擇。

2. 集(jí)電(diàn)極峰值(zhí)電壓保險(xiǎn)絲
：1.。

3. 峰(fēng)值(zhí)電壓(yā)%
：峰值電(diàn)壓可在0～10V，0～50V，0～100V，0～500V之連續可(kě)調，麵板(bǎn)上的(dí)標稱(chēng)值是近似(sì)值，參(cān)考用。

4. 功耗(hào)限(xiàn)製電阻
：它是(shì)串(chuàn)聯(lián)在被測管的(dí)集(jí)電極電(diàn)路中，限製(zhì)超過(guò)功(gōng)耗(hào)，亦(yì)可(kě)作為被測(cè)半導體(tǐ)管(guǎn)集(jí)電極的(dí)負(fù)載電(diàn)阻(zǔ)。

5. 峰(fēng)值電壓(yā)範圍
：分0～10V/，0～50V/1A，0～100V/0.，0～500V/0.1A四擋。當由低(dī)擋改換(huàn)高(gāo)擋觀(guān)察半導體(tǐ)管的(dí)特(tè)性時(shí)，須先(xiān)將峰(fēng)值電壓調到(dào)零(líng)值，換(huàn)擋後(hòu)再(zài)按(àn)需要的電(diàn)壓逐(zhú)漸增(zēng)加(jiā)，否則容(róng)易擊(jī)穿(chuān)被(bèi)測晶體管。

AC擋(dǎng)的(dí)設(shè)置專為二(èr)極(jí)管或(huò)其他(tā)元(yuán)件的(dí)測試(shì)提供(gōng)雙(shuāng)向掃(sǎo)描(miáo)，以(yǐ)便(biàn)能(néng)同時顯(xiǎn)示器件(jiàn)正反向的(dí)特(tè)性(xìng)曲綫(xiàn)。

6. 電容(róng)平(píng)衡
：由於集電極電流(liú)輸(shū)出端對地(dì)存在各種雜散(sàn)電容(róng)，都將(jiāng)形成電容性電(diàn)流，因而在(zài)電(diàn)流取樣(yàng)電(diàn)阻上(shàng)產生(shēng)電壓(yā)降，造(zào)成(chéng)測量誤差。為了(liǎo)盡(jìn)量減小電(diàn)容性(xìng)電流，測試前(qián)應(yīng)調(tiáo)節(jié)電(diàn)容平(píng)衡，使(shǐ)容性電流(liú)減至zui小(xiǎo)。

7. 輔(fǔ)助(zhù)電容(róng)平(píng)衡(héng)
：是針對(duì)集(jí)電極變(biàn)壓器次(cì)級繞組對地(dì)電容的不對(duì)稱，而(ér)再(zài)次進(jìn)行電容平衡(héng)調(tiáo)節(jié)。

8. 電(diàn)源開關(guān)及輝(huī)度調節
：旋鈕拉出，接通儀器(qì)電(diàn)源，旋(xuán)轉(zhuǎn)旋(xuán)鈕可(kě)以改變示(shì)波管光點亮度(dù)。

9. 電(diàn)源指(zhǐ)示(shì)
：接(jiē)通電源(yuán)時燈(dēng)亮(liàng)。

10. 聚(jù)焦旋(xuán)鈕
：調節(jié)旋鈕(niǔ)可使(shǐ)光跡zui清(qīng)晰。

11. 熒(yíng)光(guāng)屏幕
：示波管屏幕，外有座標刻度片。

12. 輔助(zhù)聚(jù)焦
：與(yǔ)聚焦(jiāo)旋(xuán)鈕配合(hé)使(shǐ)用(yòng)。

13. Y軸選擇(zé)（電(diàn)流(liú)/度）開關
：具有(yǒu)22擋四種(zhǒng)偏轉作用的開(kāi)關(guān)。可(kě)以(yǐ)進(jìn)行(háng)集電極電(diàn)流，基(jī)極(jí)電壓(yā)，基極電流(liú)和外接(jiē)的不同轉換。

14. 電流(liú)/度(dù)×0.1倍率(shuài)指示燈
：燈(dēng)亮(liàng)時(shí)，儀(yí)器進(jìn)入(rù)電(diàn)流(liú)/度×0.1倍工(gōng)作(zuò)狀(zhuàng)態。

15. 垂直移位(wèi)及(jí)電流/度倍(bèi)率(shuài)開(kāi)關
：調(tiáo)節跡(jì)綫(xiàn)在垂(chuí)直方向(xiàng)的移位。旋(xuán)鈕(niǔ)拉(lā)出，放大器增(zēng)益(yì)擴大10倍(bèi)，電流/度各擋IC標值×0.1，同(tóng)時指示(shì)燈14亮(liàng).

16. Y軸(zhóu)增益
：校正Y軸增益(yì)。

17. X軸增(zēng)益(yì)
：校正(zhèng)X軸增益。

18.顯(xiǎn)示開關(guān)
：分(fēn)轉換，接(jiē)地(dì)，校準(zhǔn)三擋(dǎng)，其作(zuò)用是
：

⑴轉(zhuǎn)換
：使圖(tú)像在Ⅰ，Ⅲ象限內(nèi)相互轉(zhuǎn)換，便於由NPN管(guǎn)轉(zhuǎn)測(cè)PNP管(guǎn)時簡化測試操(cāo)作。

⑵接地(dì)
：放大(dà)器輸入接地，表(biǎo)示(shì)輸入為零(líng)的(dí)基準點。

⑶校準
：按下(xià)校(xiào)準鍵，光點在X，Y軸(zhóu)方向移動的距(jù)離剛好為10度，以達到10度校正目的(dí)。

19. X軸移位
：調(tiáo)節光跡在(zài)水(shuǐ)平方(fāng)向的(dí)移位(wèi)。

20. X軸(zhóu)選(xuǎn)擇（電壓(yā)/度）開(kāi)關(guān)
：可(kě)以(yǐ)進行(háng)集電(diàn)極電壓(yā)，基極(jí)電流，基極電(diàn)壓和(hé)外接四種功能的(dí)轉(zhuǎn)換，共17擋。

21. “級/簇(cù)”調節
：在0～10的(dí)範圍內可連(lián)續調節階(jiē)梯信號的級數。

22. 調(tiáo)零(líng)旋鈕
：測(cè)試前(qián)，應首先(xiān)調整階(jiē)梯(tī)信(xìn)號(hào)的起始級(jí)零電平的(dí)位(wèi)置。當(dāng)熒(yíng)光屏(píng)上已觀察(chá)到(dào)基極階梯信號後，按下(xià)測試台上(shàng)選擇按鍵“零電壓”，觀(guān)察光(guāng)點停留(liú)在熒(yíng)光(guāng)屏上的位置(zhì)，復位(wèi)後調節零旋鈕，使(shǐ)階梯信(xìn)號的起始(shǐ)級(jí)光點(diǎn)仍(réng)在該(gāi)處，這樣(yàng)階(jiē)梯信號的(dí)零電位即(jí)被準(zhǔn)確校正(zhèng)。

23. 階(jiē)梯(tī)信(xìn)號選擇開(kāi)關
：可以調節每級(jí)電流大小注入被測管(guǎn)的基極(jí)，作(zuò)為(wéi)測(cè)試各(gè)種(zhǒng)特(tè)性曲綫的(dí)基極信號源，共(gòng)22擋。一般選用(yòng)基(jī)極(jí)電流(liú)/級，當測試場效應(yīng)管(guǎn)時選用基(jī)極源電壓/級(jí)。

24. 串聯電阻(zǔ)開(kāi)關(guān)
：當(dāng)階(jiē)梯信號(hào)選(xuǎn)擇開關置於電壓/級的(dí)位(wèi)置(zhì)時，串聯(lián)電(diàn)阻將串(chuàn)聯在(zài)被測管(guǎn)的輸(shū)入電(diàn)路中。

25. 重(zhòng)復--關(guān)按鍵(jiàn)
：彈(dàn)出(chū)為(wéi)重復，階梯信號(hào)重復出(chū)現；按(àn)下為關，階(jiē)梯信號處於(yú)待觸發狀態(tài)。

26. 階(jiē)梯信(xìn)號待觸(chù)發指示燈
：重(zhòng)復按鍵(jiàn)按(àn)下時(shí)燈亮，階梯(tī)信(xìn)號(hào)進(jìn)入待(dài)觸發狀(zhuàng)態。

27. 單簇按鍵(jiàn)開(kāi)關(guān)
：單(dān)簇的按動其(qí)作(zuò)用(yòng)是使預先調整好的電(diàn)壓（電流(liú)）/級，出現(xiàn)一(yī)次階梯信號(hào)後回(huí)到(dào)等待(dài)觸發(fā)位(wèi)置，因此可利(lì)用(yòng)它瞬間作用的特(tè)性來(lái)觀察被測(cè)管的各(gè)種極(jí)限特性(xìng)。

28. 極性按(àn)鍵
：極(jí)性(xìng)的(dí)選(xuǎn)擇取(qǔ)決於被測(cè)管(guǎn)的特性(xìng)。

29. 測試台
：其(qí)結(jié)構如圖(tú)A-24所示。

30. 測試(shì)選擇(zé)按鍵
：

⑴“左”，“右”，“二簇”
：可以在測試(shì)時任(rèn)選(xuǎn)左(zuǒ)右(yòu)兩個(gè)被測(cè)管(guǎn)的(dí)特(tè)性，當置(zhì)於“二簇(cù)”時(shí)，即通(tōng)過電子(zǐ)開關(guān)自動(dòng)地交(jiāo)替顯(xiǎn)示(shì)左(zuǒ)右(yòu)二簇特(tè)性(xìng)曲綫，此時“級(jí)/簇”應(yīng)置適(shì)當位(wèi)置(zhì)，以利於觀察。二(èr)簇特(tè)性(xìng)曲綫(xiàn)比較時，請(qǐng)不(bù)要誤按單簇按(àn)鍵。

⑵“零(líng)電壓(yā)”鍵
：按下(xià)此鍵用(yòng)於(yú)調(tiáo)整階梯(tī)信(xìn)號的(dí)起(qǐ)始級在零(líng)電平(píng)的位置(zhì)，見（22）項。

⑶“零電(diàn)流(liú)”鍵(jiàn)
：按下(xià)此(cǐ)鍵(jiàn)時被(bèi)測(cè)管的基(jī)極處(chǔ)於(yú)開(kāi)路狀態，即(jí)能測量ICEO特(tè)性。

31，32. 左右測試(shì)插孔
：插上(shàng)插(chā)座（隨(suí)機附(fù)件(jiàn)），可測試(shì)F1，F2型管座的(dí)功率(shuài)晶體(tǐ)管。

33，34，35.晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)測試(shì)插座。

36. 二極管反向(xiàng)漏電(diàn)流(liú)插孔（接地端）。

在(zài)儀(yí)器(qì)右(yòu)側(cè)板(bǎn)上(shàng)分(fēn)布有圖A-25所示的旋(xuán)鈕和端子
：

37. 二簇移位旋(xuán)鈕
：在二簇顯(xiǎn)示時(shí)，可(kě)改(gǎi)變右(yòu)簇曲(qū)綫(xiàn)的(dí)位置，更(gēng)方便(biàn)於配(pèi)對(duì)晶體管各種(zhǒng)參數(shù)的比較(jiào)。

38. Y軸信(xìn)號輸入
：Y軸選(xuǎn)擇(zé)開關(guān)置(zhì)外接時，Y軸(zhóu)信(xìn)號(hào)由此插座(zuò)輸入。

39. X軸信號輸(shū)入
：X軸選擇開關(guān)置外接時，X軸(zhóu)信(xìn)號(hào)由(yóu)此插(chā)座輸入(rù)。

40. 校準(zhǔn)信號輸出端
：1V，0.5V校(xiào)準信(xìn)號由此二孔(kǒng)輸(shū)出。

7.2測試(shì)前注(zhù)意(yì)事項

為(wéi)保證儀(yí)器(qì)的合理(lǐ)使用，既(jì)不損壞被(bèi)測晶體管，也不損壞(huài)儀器內(nèi)部綫路(lù)，在使用(yòng)儀(yí)器前應注(zhù)意(yì)下列事項(xiàng)
：

1. 對被(bèi)測管的(dí)主(zhǔ)要直(zhí)流參數應(yīng)有(yǒu)一(yī)個大(dà)概(gài)的了解(jiě)和(hé)估(gū)計，特別要了解(jiě)被(bèi)測管的集電極(jí)zui大允許耗(hào)散功率(shuài)PCM，zui大允(yǔn)許(xǔ)電流(liú)ICM和擊穿(chuān)電壓BVEBO，BVCBO 。

2. 選(xuǎn)擇(zé)好掃(sǎo)描(miáo)和階梯(tī)信號的極性(xìng)，以適應(yīng)不同管(guǎn)型和測(cè)試項目的需要。

3. 根(gēn)據(jù)所(suǒ)測(cè)參數或(huò)被(bèi)測管允(yǔn)許(xǔ)的(dí)集電極電壓(yā)，選(xuǎn)擇(zé)合適(shì)的掃描電壓範(fàn)圍(wéi)。一(yī)般情(qíng)況下(xià)，應(yīng)先將(jiāng)峰值電壓調至(zhì)零(líng)，更改(gǎi)掃描(miáo)電壓(yā)範(fàn)圍(wéi)時(shí)，也(yě)應(yīng)先將峰(fēng)值電壓調(tiáo)至(zhì)零(líng)。選擇一(yī)定的功耗電阻，測試(shì)反(fǎn)向(xiàng)特性時(shí)，功耗電阻要選大(dà)一些(xiē)，同(tóng)時將X，Y偏轉開關置於合適(shì)擋位(wèi)。測試時掃(sǎo)描(miáo)電(diàn)壓應(yīng)從零逐步(bù)調節(jié)到需要(yào)值(zhí)。

4. 對被測(cè)管進行(háng)必(bì)要的(dí)估算(suàn)，以選(xuǎn)擇合(hé)適的階梯電(diàn)流或階梯(tī)電壓，一(yī)般(bān)宜先小一點，再根據(jù)需要(yào)逐(zhú)步(bù)加(jiā)大(dà)。測(cè)試時不應(yīng)超過被測管(guǎn)的集電(diàn)極(jí)zui大允(yǔn)許(xǔ)功耗。

5. 在(zài)進行ICM的測試(shì)時，一(yī)般(bān)采用(yòng)單(dān)簇為(wéi)宜(yí)，以(yǐ)免(miǎn)損(sǔn)壞被測管。

6. 在進行IC或(huò)ICM的測試中(zhōng)，應(yīng)根(gēn)據集(jí)電(diàn)極電壓的實際情(qíng)況(kuàng)選(xuǎn)擇，不(bù)應超過(guò)本儀(yí)器(qì)規定的(dí)zui大(dà)電流，見表A-3。

表(biǎo)A-3 zui大(dà)電(diàn)流對照表(biǎo)

7. 進(jìn)行(háng)高壓測(cè)試時，應(yīng)特別注(zhù)意安(ān)全，電(diàn)壓(yā)應(yīng)從(cóng)零逐(zhú)步調(tiáo)節到需(xū)要值。觀察(chá)完(wán)畢，應及時(shí)將(jiāng)峰值(zhí)電(diàn)壓(yā)調到零。

7.3基本(běn)操(cāo)作步(bù)驟

1. 按(àn)下(xià)電(diàn)源(yuán)開(kāi)關，指示燈(dēng)亮(liàng)，預熱15分鐘後(hòu)，即可(kě)進行測(cè)試(shì)。

2. 調(tiáo)節輝(huī)度，聚焦(jiāo)及(jí)輔(fǔ)助聚焦，使(shǐ)光點(diǎn)清(qīng)晰(xī)。

3. 將(jiāng)峰(fēng)值(zhí)電壓旋(xuán)鈕調(tiáo)至(zhì)零，峰值(zhí)電(diàn)壓(yā)範圍，極性，功耗電阻(zǔ)等(děng)開關置(zhì)於測試所(suǒ)需位置(zhì)。

4. 對(duì)X，Y軸放(fàng)大(dà)器進行(háng)10度校準。

5. 調節(jié)階梯調(tiáo)零。

6. 選(xuǎn)擇需要的(dí)基(jī)極(jí)階梯(tī)信號，將極性，串(chuàn)聯電阻置(zhì)於(yú)合適(shì)擋(dǎng)位(wèi)，調節級(jí)/簇(cù)旋鈕，使(shǐ)階梯(tī)信號為(wéi)10級/簇(cù)，階梯信(xìn)號(hào)置(zhì)重復位置。

7. 插(chā)上被(bèi)測晶(jīng)體管，緩慢(màn)地增大(dà)峰值電(diàn)壓，熒光屏上即有(yǒu)曲綫(xiàn)顯示。

7.4測試實(shí)例

1. 晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)hFE和β值的測(cè)量

以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得(dé)知3DK2 hFE的(dí)測試條(tiáo)件為VCE =1V，IC=10mA。將光(guāng)點移(yí)至熒光(guāng)屏的左下(xià)角作(zuò)座表(biǎo)零(líng)點。儀(yí)器(qì)部件的(dí)置(zhì)位詳見(jiàn)表A-4。

表(biǎo)A-4    3DK2晶體(tǐ)管hFE，β測(cè)試時儀(yí)器部件的置位(wèi)

逐漸加(jiā)大(dà)峰(fēng)值電(diàn)壓就能在顯示屏上(shàng)看(kàn)到(dào)一(yī)簇特性曲綫，如(rú)圖A-26所(suǒ)示.讀出X軸(zhóu)集(jí)電(diàn)極電壓Vce =1V時zui上麵一(yī)條(tiáo)曲綫（每條曲(qū)綫為(wéi)20μA，zui下麵(miàn)一條IB=0不(bù)計(jì)在(zài)內）IB值(zhí)和Y軸IC值(zhí)，可得

PNP型三極(jí)管(guǎn)h_FE和β的測量(liáng)方法(fǎ)同上，隻需改(gǎi)變掃描電壓(yā)極性，階梯(tī)信(xìn)號極性，並把光(guāng)點移至熒光(guāng)屏右上(shàng)角即(jí)可(kě)。

2.晶體管反(fǎn)向電流的測(cè)試

以(yǐ)NPN型(xíng)3DK2晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)為(wéi)例，查手冊得知3DK2 I_CBO，I_CEO的測(cè)試條件為V_CB，V_CE均(jūn)為10V。測試(shì)時(shí)，儀(yí)器(qì)部件(jiàn)的置(zhì)位詳(xiáng)見表(biǎo)A-5。

逐漸(jiàn)調高“峰值電壓(yā)”使X軸V_CB=10V，讀出(chū)Y軸(zhóu)的偏移量，即為被測(cè)值。被(bèi)測(cè)管(guǎn)的接(jiē)綫方(fāng)法(fǎ)如(rú)圖(tú)1-28，其中(zhōng)圖(tú)A-28（a）測(cè)I_CBO值(zhí)，圖A-28（b）測(cè)I_CEO值(zhí)，圖(tú)A-28（c）測(cè)I_EBO值。

圖A-29 反(fǎn)向電流(liú)測試曲(qū)綫(xiàn)

PNP型晶體(tǐ)管的測試方法與(yǔ)NPN型(xíng)晶(jīng)體管(guǎn)的測(cè)試方(fāng)法(fǎ)相同。可按測(cè)試條件(jiàn)，適(shì)當改變(biàn)擋位，並把集(jí)電(diàn)極掃描電(diàn)壓極性改(gǎi)為(wéi)“—”，把(bǎ)光點(diǎn)調(tiáo)到熒(yíng)光(guāng)屏的右下(xià)角(jiǎo)（階(jiē)梯極性為“+”時）或右上角（階梯極(jí)性為“—”時）即(jí)可。

3.晶體管擊(jī)穿電壓(yā)的(dí)測(cè)試(shì)

以NPN型3DK2晶(jīng)體管為(wéi)例，查手冊得知(zhī)3DK2 BV_CBO，BV_CEO，BV_EBO的測試(shì)條件I_C分(fēn)別為100μA，200μA和100μA。測(cè)試時(shí)，儀(yí)器部件的置位詳見表A-6。

逐(zhú)步調(tiáo)高(gāo)“峰值電壓”，被(bèi)測(cè)管按(àn)圖A-30（a）的(dí)接(jiē)法，Y軸I_C=0.1mA時，X軸(zhóu)的(dí)偏(piān)移量為(wéi)BV_CEO值(zhí)；被(bèi)測(cè)管按(àn)圖A-30（b）的接法，Y軸I_C=0.2m A時，X軸的偏移量為(wéi)BV_CEO值；被測(cè)管按圖A-30（c）的接法，Y軸(zhóu)I_C=0.1mA時，X軸(zhóu)的偏移量為BV_EBO值。

表(biǎo)A-8 2DP5C整(zhěng)流(liú)二極管測(cè)試(shì)時(shí)儀(yí)器(qì)部(bù)件的置位

6.二(èr)簇(cù)特性(xìng)曲綫比(bǐ)較(jiào)測(cè)試

以(yǐ)NPN型(xíng)3DG6晶體管為(wéi)例(lì)，查手(shǒu)冊得(dé)知(zhī)3DG6晶體管輸出特性(xìng)的測試條(tiáo)件(jiàn)為IC=10 mA，VCE=10V。測(cè)試(shì)時(shí)，儀(yí)器(qì)部(bù)件的置位詳見(jiàn)表(biǎo)A-9。

將(jiāng)被測的兩(liǎng)隻晶(jīng)體管，分別(bié)插(chā)入測(cè)試台左，右(yòu)插座內(nèi)，然(rán)後(hòu)按表1-8置位各(gè)功(gōng)能(néng)鍵，參(cān)數(shù)調至理想位置。按下(xià)測試(shì)選擇按鈕的“二簇”琴鍵，逐(zhú)步增大(dà)峰(fēng)值(zhí)電壓(yā)，即可(kě)要熒光屏上(shàng)顯(xiǎn)示二簇(cù)特性曲綫，如(rú)圖A-34所(suǒ)示(shì)。

表(biǎo)A-9 二簇(cù)特性曲綫(xiàn)測試(shì)時儀器部(bù)件(jiàn)的(dí)置(zhì)位(wèi)

當(dāng)測試配對管要(yào)求很(hěn)高(gāo)時(shí)，可(kě)調節“二簇位移旋(xuán)鈕(niǔ)”（37），使(shǐ)右(yòu)簇(cù)曲綫左移(yí)，視其(qí)曲綫(xiàn)重合程度，可判(pàn)定其輸(shū)出(chū)特(tè)性的一(yī)致程度(dù)。

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