性能(néng)特點廣泛的測(cè)量(liáng)對象(xiàng)
半(bàn)導(dǎo)體元(yuán)件：電容器，電感(gǎn)器，磁(cí)芯，電(diàn)阻器，變(biàn)壓(yā)器，芯片組件(jiàn)和網絡元(yuán)件(jiàn)等(děng)的(dí)阻抗(kàng)參數(shù)測量。
其它(tā)元件：印(yìn)製(zhì)電(diàn)路板(bǎn)，繼(jì)電(diàn)器，開關(guān)，電纜(lǎn)，電(diàn)池等(děng)的(dí)阻抗(kàng)評(píng)估(gū)。
介(jiè)質(zhì)材料：塑料，陶瓷和(hé)其它(tā)材(cái)料的(dí)介電常數(shù)的損耗(hào)角評(píng)估。
磁性材料：鐵氧體，非晶(jīng)體(tǐ)和其(qí)它(tā)磁(cí)性(xìng)材(cái)料的導磁率(shuài)和損(sǔn)耗(hào)角評(píng)估。
半(bàn)導體材(cái)料：半導體材料的介(jiè)電(diàn)常(cháng)數,導(dǎo)電(diàn)率和(hé)C-V特(tè)性。
液晶材料：液(yè)晶單元的介電(diàn)子常數，彈性(xìng)常數(shù)等C-V特性(xìng)。
多(duō)種(zhǒng)元(yuán)件(jiàn)，材(cái)料特性測量能力(lì)
多(duō)參數混合(hé)顯示(shì)功能
多(duō)參(cān)數(shù)同時(shí)顯示(shì)可(kě)滿(mǎn)足復(fù)雜(zá)元件(jiàn)各種分(fēn)布參數(shù)的全麵(miàn)觀(guān)察與評(píng)估要求(qiú)，而(ér)不必反復(fù)切(qiē)換測量(liáng)參(cān)數。
電(diàn)感(gǎn)L和(hé)其直流電阻(zǔ)DCR可(kě)以(yǐ)同(tóng)時測量顯(xiǎn)示，顯(xiǎn)著提高電感(gǎn)測量(liáng)效率(shuài)。
揭示電(diàn)感(gǎn)器件的多種特性(xìng)
使(shǐ)用內部/外(wài)部(bù)直流偏(piān)置，結合各(gè)種掃(sǎo)描(miáo)測試(shì)功能，可(kě)以(yǐ)地分(fēn)析磁性(xìng)材(cái)料，電感器件(jiàn)的性(xìng)能。
通(tōng)過(guò)偏置電(diàn)流(liú)疊(dié)加測試(shì)功能，可以測(cè)量(liáng)高(gāo)頻(pín)電感器(qì)件，通訊(xùn)變(biàn)壓(yā)器，濾波(bō)器的小電流(liú)疊加性(xìng)能。使用(yòng)外部電流疊加(jiā)裝(zhuāng)置，可(kě)使偏置(zhì)電流(liú)達(dá)40A以分(fēn)析高(gāo)功率，大(dà)電(diàn)流電(diàn)感器(qì)件。
的陶瓷電容(róng)測量(liáng)
1kHz和(hé)1MHz是陶瓷材(cái)料(liào)和(hé)電容(róng)器(qì)的主(zhǔ)要測試(shì)頻(pín)率(shuài)。陶瓷電容(róng)器具有低(dī)損耗值(zhí)的(dí)特征，同(tóng)時其容量，損耗(hào)施加(jiā)之(zhī)交(jiāo)流(liú)信號會產(chǎn)生明顯的變化(huà)。
儀(yí)器具(jù)有寬(kuān)頻測試(shì)能(néng)力(lì)並可提供(gōng)良(liáng)好的準確(què)度，六(liù)位分辨率(shuài)和自動電平控(kòng)製(zhì)（ALC）功能等(děng)，中(zhōng)以滿足陶(táo)瓷材料和(hé)電容器(qì)可靠，準(zhǔn)確(què)的(dí)測試需要(yào)。
液晶單元的(dí)電(diàn)容特性測量
電(diàn)容(róng)－電(diàn)壓（C－Vac)特(tè)性(xìng)是(shì)評(píng)價液晶材料性能(néng)的主(zhǔ)要方(fāng)法，常(cháng)規(guī)儀器(qì)測量液(yè)晶單(dān)元的(dí)C－Vac特性遇(yù)到一個問題是zui大(dà)測(cè)試(shì)電壓不夠。
使(shǐ)用(yòng)擴展測(cè)量選件可提供分辨(biàn)率(shuài)為1%及zui高達20Vms的可編(biān)程測(cè)試信號電(diàn)平(píng)，使(shǐ)它(tā)能(néng)在*條件下(xià)進(jìn)行液晶材料的電容(róng)特(tè)性測(cè)量。
半導體材料和元(yuán)件的測量
進行(háng)MOS型半(bàn)導體製(zhì)造工藝評(píng)價時(shí)，需要(yào)氧化(huà)層電容和(hé)襯底(dǐ)雜質(zhì)密度這些(xiē)參(cān)數，這些可(kě)從C－Vdc特性的測(cè)量(liáng)結果推導出(chū)來。
通(tōng)過(guò)提(tí)供的(dí)直(zhí)流源，結合各(gè)種(zhǒng)掃描功能(néng)，可以(yǐ)方便(biàn)地(dì)完成C-VDC特性(xìng)的(dí)測(cè)量。
為了測試(shì)晶圓(yuán)上(shàng)的(dí)半導體器件，需要延(yán)伸(shēn)電纜(lǎn)和探(tàn)頭，儀器的1m/2m/4m延伸電纜選件可將(jiāng)電纜延伸的誤差降至zui小(xiǎo)。
各(gè)種(zhǒng)二極管(guǎn)，三極管(guǎn)，MOS管的(dí)分布(bù)電容也是(shì)本儀器的測試(shì)內容。
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技(jì)術文(wén)章
更新時(shí)間：2015-10-30
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